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应best365官网app下载的邀请,西澳大利亚大学副教授雷文博士来我校八角楼作学术报告。
报告题目:HgCdTe semiconductor optoelectronics: Material, Physics, and Device Applications
报告时间:10月19(周一)下午3:00
报告地点:八角楼学术报告厅
报告简介:
HgCdTe infrared detectors have dominated the high performance end of infrared market for decades due to their unbeatable device performance. However, the further development (next generation) of infrared applications requires the detectors to have lower cost, larger array size and higher operation temperature, which presents big challenges to current HgCdTe detector technology due to its various limitations. In this talk, I will introduce our recent effort in developing next generation HgCdTe infrared detectors and exploring their applications in on-chip chemical sensors. GaSb alternative substrate and novel “nBn” device architecture were proposed to reduce the cost, increase the array size and enhance the operation temperature of HgCdTe detectors. HgCdTe on-chip chemical sensors were also explored by integrating HgCdTe waveguide and HgCdTe detector together.
个人简历:
雷文博士现任西澳大利亚大学副教授、博士生导师、澳大利亚研究协会 Future Fellow (等同于中国国家基金委的“杰青”),以及西澳大利亚大学电子材料与器件实验室主任。
目前主要从事半导体红外光电材料与器件、新型半导体纳米光电材料与器件、能源转换材料与器件等方面的研究。
自攻读博士至今,主持、参与并完成了多项澳大利亚、德国、美国和中国的科研项目(近5年来所主持的项目约2 百万澳元),并在 Phys. Rev. Lett., Anal. Chem., Appl. Phys. Lett. 等领域内顶级权威期刊上发表论文 60 多篇,撰写英文专著两部,申请中国专利两项,并受邀在著名评论期刊 Appl. Phys. Rev. 上发表有关中红外光电子材料与器件的评论,其成果为国内外同行所广泛引用,其中九篇论文成果为 Nature Materials,Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology,Journal of Technology and Science 和 Vertical news等期刊选取报道和收录。
在红外光电方面,首次提出采用 GaSb 衬底进行 II-VI 红外光电材料的外延生长以获得高质量、大尺寸红外外延材料并提高红外传感器的器件性能及成品率。研究成果入选美国澳大利亚双边 Enabling technology 技术交流,引起美国陆军研究实验室(ARL),陆军研究基金(ARO),空军科学研究局(AFOSR),Teledyne,陆军夜视和电子传感器管理局(NVESD),国防高级研究计划局(DARPA)等多方面的关注。由于其杰出的研究成果,雷文博士受邀担任五种国际知名期刊的编辑及客座编辑,受邀在多所国外大学及国际会议上做学术报告,并受邀担任十多种知名国际期刊的特邀审稿人以及三个国家的科研项目评审人。
欢迎全院师生参加!
材化学院 2015.10.15